Company Introduction

蘇州納維創(chuàng)辦以來，在江蘇省重大成果轉(zhuǎn)化項目、蘇州市各級人才項目支持下，經(jīng)過10年攻關(guān)完成了從材料生長設(shè)備的自主研發(fā)到GaN單晶襯底生長制備的完整工藝開發(fā)，2英寸GaN單晶襯底的位錯密度降低到10?cm2，達到世界先進水平，期間相繼得到科技部863項目和國家發(fā)改委產(chǎn)業(yè)化示范項目的支持；近兩年完成了4英寸和6英寸GaN單晶襯底的關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)。目前GaN單晶襯底產(chǎn)品已經(jīng)提供給500余家客戶使用，基本完成了對研發(fā)市場的占領(lǐng)，正在提升產(chǎn)能向企業(yè)應(yīng)用市場發(fā)展，重點突破方向是藍綠光半導(dǎo)體激光器、高功率電力電子器件、高可靠性高功率微波器件等重大領(lǐng)域。申報相關(guān)核心專利近百余項，在各類重要國際學(xué)術(shù)會議和產(chǎn)業(yè)論壇上做邀請報告百余次，蘇州納維受到產(chǎn)業(yè)界和國際同行的廣泛關(guān)注。

愿景

“團隊具有持續(xù)創(chuàng)新能力，產(chǎn)品具有國際領(lǐng)先水平”

管理團隊

Management Team

徐科-蘇州納維科技有限公司董事長（創(chuàng)始人）

徐科，男，1970年3月出生，中科院上海光學(xué)精密機械研究所獲得博士，中國國籍，蘇州納維科技有限公司董事長、江蘇第三代半導(dǎo)體研究院院長徐科。2008年入選省“高層次創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)人才引進計劃”，2007年入選姑蘇領(lǐng)軍人才計劃。徐科博士自1996年以來一直從事氮化物外延用襯底材料的晶體生長，曾在非極性GaN的MOCVD生長方面做出開創(chuàng)工作；闡明了極性對InN生長的特殊影響，是國際上最早發(fā)現(xiàn)InN窄帶隙的研究者之一。2004年歸國，在蘇州工業(yè)園區(qū)創(chuàng)辦蘇州納維科技有限公司，研發(fā)出2inch GaN單晶襯底系列產(chǎn)品，GaN單晶襯底的研制成功和產(chǎn)業(yè)化對我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)跨越發(fā)展以及國防領(lǐng)域的核心器件研制具有重要的戰(zhàn)略意義。曾主持參加國家重點研究計劃、國家自然科學(xué)基金重點項目、江蘇省科技成果重大專項項目、蘇州市姑蘇人才、蘇州工業(yè)園區(qū)領(lǐng)軍人才項目等20余項，在項目執(zhí)行期間，入選科技部中青年領(lǐng)軍科技人才；關(guān)于氮化鎵單晶襯底的研究成果入選基金委信息學(xué)部十二五優(yōu)秀成果匯編；入選科技部重大研發(fā)計劃戰(zhàn)略性新型電子材料專家組成員并任第三代半導(dǎo)體材料專家組副組長；入選國家重大新材料與應(yīng)用工程專家組并參與編寫第三代半導(dǎo)體材料到2030年的發(fā)展規(guī)劃等。

王建峰-蘇州納維科技有限公司總經(jīng)理

1979年10月生，于2001年、2006年先后獲得武漢大學(xué)學(xué)士和博士學(xué)位（與中科院半導(dǎo)體所聯(lián)合培養(yǎng)），此后一直從事GaN單晶襯底的制備及產(chǎn)業(yè)化開發(fā)。王建峰博士針對GaN生長裝備，創(chuàng)新的引入了在位光學(xué)監(jiān)控系統(tǒng)，實現(xiàn)了生長速度和應(yīng)力的實時監(jiān)控，極大的推進了GaN材料研發(fā)；近5年以來，深入研究了GaN的HVPE生長機理和缺陷演化機制，采用周期掩膜、GaN納米柱陣列等中間層方法，獲得了無裂紋、高質(zhì)量GaN材料，性能達到目前同類方法公開報道的最好值(位錯密度<10?cm2，室溫電子遷移率1100cm2/V·s)；利用摻雜技術(shù)，實現(xiàn)了2英寸非摻、N型摻雜和半絕緣補償摻雜GaN單晶襯底的研制。近3年以來，初步實現(xiàn)了4英寸GaN單晶襯底的制備。作為項目負責(zé)人和核心人員參加科技部863項目、國際合作項目、自然科學(xué)基金項目、中科院 STS 項目等10余項，申報相關(guān)核心專利20余項，在ICNS、APWS等重要國際會議上做特邀報告5次。項目申請人曾榮獲中國產(chǎn)學(xué)研促進性創(chuàng)新成果獎，中國科學(xué)院盧嘉錫青年人才獎，蘇州市勞動模范獎勵。